Зарядное устройство на мосфетах схема
АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАРЯДНОЕ НА ТРАНЗИСТОРЕ IRFP
Правильная эксплуатация аккумуляторов и аккумуляторных батарей различных типов во многом обеспечивает их долговечность и надежность. Для частичного или полного восстановления емкости, а также устранения "эффекта памяти" рекомендуется тренировка аккумуляторов проведением нескольких циклов разрядки-зарядки. Предлагаемое устройство автоматизирует этот процесс. Оно разработано для обслуживания Ni-Cd, Ni-Mh, но может быть использовано для аккумуляторов и других типов.
Всем здравствуйте. В качестве примера приведу очень простое зарядное устройство для свинцово-кислотных аккумуляторов, которое использует переключающие свойства транзисторов NF-MOSFET серии IRF для регулирования тока зарядки. Принципиальная схема зарядного устройства показана на рисунке. Вторичное выходное напряжение от сетевого трансформатора 16В и током 6А подается на входные клеммы P1 печатной платы, затем оно выпрямляется мостовым выпрямителем на диодах D1-D4 и сглаживается электролитическим конденсатором C1. Транзисторы открываются положительными импульсами напряжения, которые формируются выпрямлением переменного напряжения с клеммной колодки P1 при помощи диодов D5 и D6.
Все ранее рассмотренные схемы зарядных устройств в качестве силового ключа использовали мощные p-n-p или n-p-n транзисторы, которые позволяли получить достаточно большой ток при небольшом количестве электронных элементов. Однако у используемых биполярных транзисторов имеется существенный недостаток - большое падение напряжения коллектор-эмиттер в режиме насыщения, достигающее Гораздо экономичней вместо биполярных транзисторов устанавливать силовые МОП MOSFET транзисторы, которые при тех же токах имеют гораздо меньшее в 5 раз падение напряжения на открытом переходе сток-исток. Проще всего вместо силового p-n-p транзистора установить мощный p-канальный полевой транзистор, ограничив с помощью дополнительного стабилитрона напряжение между истоком и затвором на уровне 15В. Параллельно стабилитрону подключается резистор сопротивлением около 1 кОм для быстрой разрядки ёмкости затвор-исток. Гораздо более распространены и доступней силовые n- канальные МОП транзисторы, но принципиальная схема устройства с такими транзисторами несколько усложняется, так как для полного открытия канала сток-исток на затвор необходимо подать напряжение на 15 В выше напряжения силовой части.
